產品特點

1.基于硅烷體系薄膜沉積方案，可選TEOS 及硼磷摻雜工藝需求；
2.單腔體多工位設計，產能高；
3.獨立工位溫度控制，wafer 均勻性更好，膜質更佳；
4.操作系統基于Windows進行研發的符合半導體標準軟件控制系統，操作人性化，符合國人操作習慣；
5.噴淋頭工藝間距可直接調整，維護簡單，設備利用率高；
6.向下兼容6英寸Wafer；

應用領域

主要應用于集成電路邏輯芯片、功率器件、傳感器等集成電路領域，可以沉積SiO 2 、 SiN、 SiON等介質材料薄膜。